完全NiSiおよびNiGeデュアルゲートをもつAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-絶縁体上Ge n-およびp-MOSFET

YU D S; HUANG C H; CHIN A; ZHU C; LI M F; CHO B J; KWONG D-L

文献

J-GLOBAL ID：200902267253087690 整理番号：04A0224271

完全NiSiおよびNiGeデュアルゲートをもつAl₂O₃-絶縁体上Ge n-およびp-MOSFET

Al₂O₃-Ge-On-Insulator n- and p-MOSFETs With Fully NiSi and NiGe Dual Gates

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資料名：
巻： 25 号： 3 ページ： 138-140 発行年： 2004年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金属状の完全けい化NiSiおよび完全ゲルマ化NiGeデュアル...

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トランジスタ

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完全NiSiおよびNiGeデュアルゲートをもつAl2O3-絶縁体上Ge n-およびp-MOSFET

完全NiSiおよびNiGeデュアルゲートをもつAl₂O₃-絶縁体上Ge n-およびp-MOSFET