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J-GLOBAL ID：200902267520908267   整理番号：03A0636538

イオン注入不純物の横方向広がりとマスク近接効果

Lateral Ion Implant Straggle and Mask Proximity Effect

著者 (7件)： HOOK T B (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  BROWN J (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  COTTRELL P (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  ADLER E (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  HOYNIAK D (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  JOHNSON J (IBM Microelectronics, VT, USA) ,  MANN R (IBM Microelectronics, VT, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 9  ページ： 1946-1951  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 後退ウェルにおけるイオン注入不純物の横方向バラツキが,ウェル...

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  不純物 ,  横方向 ,  広がり ,  マスク ,  近接効果