文献

J-GLOBAL ID：200902267715289359   整理番号：07A0024765

デジタルイメージング技術 面発光型半導体レーザアレイ素子を使った露光装置

Light Exposure System Using A Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Diode Array

著者 (5件)： 植木伸明 (富士ゼロックス) ,  市川順一 (富士ゼロックス) ,  池田周穂 (富士ゼロックス) ,  手塚弘明 (富士ゼロックス) ,  太田明 (富士ゼロックス)
資料名： Fuji Xerox Technical Report  (Fuji Xerox Technical Report)
号： 16  ページ： 11-19  発行年： 2006年11月30日 
JST資料番号： X0247A  ISSN： 0912-0424  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光源に32ビームVCSELアレイを搭載した世界初の露光装置を...

シソーラス用語： レーザアレイ ,...
準シソーラス用語： *VCSEL

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0024765&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0247A") }}

分類 (1件)： 写真機とその付属品  (QF05030V)

引用文献 (9件)：

• H. Soda, K Iga, C. Kitahara, and Y. Suematsu: GaInAsP/InP surface emitting injection lasers, Jpn. J. Appl. Phys., vol.18, p. 2329-2330(1979).
• F. Koyama, S. Kinoshita, and K. Iga Room-temperature continuous wave lasing characteristics of GaAs vertical cavity surface-emitting laser, Appl. Phys. Lett., vol.55, p. 221-223(1989).
• N. Ueki, A. Sakamoto, T. Nakamura, H. Nakayama, J. Sakurai, H. Otoma, Y. Miyamoto, M. Yoshikawa, and M. Fuse Single-transverse-mode 3.4-mW emission of oxide-confined 780-nm VCSEL’s, IEEE Photon. lechnol. Lett., vol.11, p. 1539-1541(1999).
• T. Numai, K Kurihara, K Kuhn, K Kosaka, I. Ogura, M. Kajita, H. Saito, and K. Kasahara: Control of light-output polarization for surface-emitting-laser type device by strained active layer grown on misoriented substrate, IEEE J. Quantum Electron., vol.31, p. 636-641(1995).
• A. Mizutani, N. Hatori, N. Nishiyama, F. Koyama, and K. Iga: A low-threshold polarization-controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311) B substrate, IEEE Photon. Technol. Lett., vol.10, p. 633-635(1998).

タイトルに関連する用語 (5件)： デジタル ,  イメージング技術 ,  面発光 ,  半導体レーザアレイ ,  露光装置