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J-GLOBAL ID：201002019650651460   整理番号：80A0065055

GaInAsP/InP表面放出注入レーザ

GaInAsP/InP surface emitting injection lasers.

著者 (4件)： SODA H (Tokyo Inst. Technology) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technology) ,  KITAHARA C (Tokyo Inst. Technology) ,  SUEMATSU Y (Tokyo Inst. Technology)
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 18  号： 12  ページ： 2329-2330  発行年： 1979年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウェハ表面に垂直な光出力を持った注入レーザは,レーザ装置を製...

シソーラス用語： 注入レーザ ,...

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引用文献 (5件)：

• 1) M. I. Nathan, W. P. Dumke, G. Burns, F. H. Dill, Jr. and G. Lasher: Appl. Phys. Lett. 1 (1962) 62.
• 2) R. N. Hall, G. E. Fenner, J. D. Kingsley, T. J. Soltys and R. O. Carlson: Phys. Rev. Lett. 9 (1962) 336.
• 4) D. R. Scifres, R. D. Burnham and W. Streifer: Appl. Phys. Lett. 26 (1975) 48.
• 5) J. J. Hsieh: Appl. Phys. Lett. 28 (1976) 283.
• 8) T. Yamamoto, K. Sakai, S. Akiba and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. QE-14 (1978) 95.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaInAsP ,  InP ,  放出 ,  注入レーザ