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J-GLOBAL ID：200902268379220929   整理番号：09A0072277

膜応力のStoney方程式の100周年を祝って 多結晶鋼板から単結晶シリコンウエハへの発展

Celebrating the 100th anniversary of the Stoney equation for film stress: Developments from polycrystalline steel strips to single crystal silicon wafers

著者 (5件)： JANSSEN G.c.a.m. (Materials Sci. & Engineering, TU Delft, Mekelweg 2, 2628 CD Delft, NLD) ,  ABDALLA M.m. (Aerospace Structures & Materials, TU Delft, Kluyverweg 1, 2629 HS Delft, NLD) ,  VAN KEULEN F. (Precision and Microsystems Engineering, TU Delft, Mekelweg 2, 2628 CD Delft, NLD) ,  PUJADA B.r. (Materials Innovation Inst., Mekelweg 2, 2628 CD Delft, Netherlands and Materials Sci. & Engineering, TU Delft ...) ,  VAN VENROOY B. (TNO Sci. and Ind., Stieltjesweg 1, 2600 AD Delft, NLD)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 517  号： 6  ページ： 1858-1867  発行年： 2009年01月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柔軟基板上の薄膜中の応力は基板の湾曲を引き起こす。通常は,基板は膜より何桁も厚いので,小さくて純粋に弾性的な基板の変形をもたらす。この場合,Stoney方程式は基板の測定された湾曲から膜中の応力を与える。Stoney方程式は膜と基板の厚さと基板の弾性特性を含んでいる。典型的には,基板の弾性特性はE(Young率)とν(Poisson比)によって特定される。Eとνは弾力的等方性基板の有効な記述を提供する,例えば,1909年にStoneyによって使用されたように,多結晶鋼板である。Stoney方程式は,基板湾曲を膜応力に関連付けるのに今日でも使用されている。しかしながら,基板湾曲による薄膜応力測定の大部分では,Siウエハが基板として使用される。シリコンウエハは単結晶から切り出されるので,弾性的には異方性である。本紙では,弾性的異方性単結晶材料に対して意味を持たない配向平均化Eとν値に代わって,ケイ素の弾性剛性定数c_ijを使用して,等方性基板についてよく知られているStoney方程式の改良式がSi(001)とSi(111)ウエハについて導出される。Si(001)とSi(111)ウエハ上の薄膜の湾曲測定値が提示される。Si(001)とSi(111)ウエハの膜応力誘発の湾曲の違いについて議論する。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *膜応力 ,  *薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  鋼板 ,  反り ,  弾性変形 ,  曲げ変形 ,  数学モデル ,  *材料力学 ,  応力解析 ,  弾性力学

分類 (3件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  弾性力学一般  (HC02010M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 膜応力 ,  方程式 ,  多結晶 ,  鋼板 ,  単結晶シリコンウエハ ,  発展