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J-GLOBAL ID：200902268537195678   整理番号：09A0077070

基板表面上の炭素による酸化物のVLS成長の促進

Enhancement of Oxide VLS Growth by Carbon on Substrate Surface

著者 (8件)： YANAGIDA Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MARCU Aurelian (National Inst. of Laser Plasma and Radiation Physics, Bucharest-Magurele, ROM) ,  MATSUI Hiroaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGASHIMA Kazuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKA Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOKOTA Kazumichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANIGUCHI Masateru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAI Tomoji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 112  号： 48  ページ： 18923-18926  発行年： 2008年12月04日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)成長機構によって形成された酸化物ナノワイヤは,ナノワイヤ-ベースの素子に豊富な官能性を導入する有望な候補である。本報は,酸化物のVLS成長の炭素による促進を報告し,そして基礎となる機構を議論した。Au触媒-アシストパルスレーザ蒸着(PLD)法によって,ZnO,MgO及びSnO₂を含む酸化物ナノワイヤを調製した。ZnOナノワイヤの成長では,基板表面に予備堆積した炭素層は,VLS成長を強く促進する。分光分析から,表面に予備堆積した炭素は,ZnOナノワイヤの光学品質からも証明されるように,VLS成長の初期段階でのみ存在できることを示した。このように,VLS成長の初期段階で炭素が存在すると,その成長促進に重要な役割を演じ,Au触媒に加えてシード材料として作用すると考えられる。このことは,酸化物のVLS成長機構に対する普遍的効果であることを示した。

シソーラス用語： *VLS成長 ,  酸化マグネシウム ,  酸化スズ ,  *ナノワイヤ ,  *炭素 ,  *金属酸化物 ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  *光ルミネセンス ,  レーザ蒸着 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  ホイスカ ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： FE-SEM ,  HRTEM ,  金触媒

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 基板表面 ,  炭素 ,  酸化物 ,  VLS成長 ,  促進