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J-GLOBAL ID：200902268754266710   整理番号：07A0280733

ZnO上にラジカル源MBE成長させたZn1-xMgxOエピタクシー薄膜の光ルミネセンス特性化

Photoluminescence characterization of Zn1-xMgxO epitaxial thin films grown on ZnO by radical source molecular beam epitaxy

著者 (8件)： SHIBATA H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TAMPO H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  MATSUBARA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  YAMADA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SAKURAI K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  ISHIZUKA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  NIKI S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SAKAI M. (Fac. of Engineering, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 90  号： 12  ページ： 124104-124104-3  発行年： 2007年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のZn1-xMgxO合金は極めて高輝度の発光体であり,...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  ラジカル ,  MBE成長 ,  エピタクシー ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  特性化