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J-GLOBAL ID：200902268844551171   整理番号：09A1287984

リフトオフ法を用いてCVD合成された大面積単結晶ダイヤモンド自立膜における電荷輸送特性の測定

著者 (11件)： 藤田文行 (北大 大学院工学研究科) ,  垣本明徳 (北大 大学院工学研究科) ,  金子純一 (北大 大学院工学研究科) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  佐藤圭 (北大 大学院工学研究科) ,  今野雄太 (北大 大学院工学研究科) ,  本間彰 (北大 大学院工学研究科) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  古坂道弘 (北大 大学院工学研究科)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 23rd  ページ： 276-277  発行年： 2009年11月18日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *蒸着膜 ,  膜 ,  プラズマCVD ,  単結晶 ,  微細加工 ,  中性子 ,  ドリフト速度 ,  自立膜 ,  *電荷輸送 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  速度
準シソーラス用語： リフトオフ法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： リフトオフ法 ,  CVD ,  大面積 ,  単結晶ダイヤモンド ,  自立膜 ,  電荷 ,  輸送特性