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J-GLOBAL ID：200902268894420051   整理番号：09A1289023

シリコン結晶中におけるホウ素-酸素から成る再結合中心の不活性化に対するドーパントの補償の効果

Impact of dopant compensation on the deactivation of boron-oxygen recombination centers in crystalline silicon

著者 (5件)： LIM Bianca (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  LIU An (School of Engineering, Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra ACT 0200, AUS) ,  MACDONALD Daniel (School of Engineering, Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra ACT 0200, AUS) ,  BOTHE Karsten (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  SCHMIDT Jan (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 23  ページ： 232109  発行年： 2009年12月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski法によって成長させたSiを基本とする太陽電池における光誘起劣化の原因となるホウ素-酸素によって構成される再結合中心は,高温における光照射によって永久に不活性になることが知られている。本稿では,不活性化プロセスに対するドーパントの補償の効果を研究する。実験結果から,不活性化の速度は正味のドーピング濃度ではなく,ホウ素の全濃度に逆比例することが分かった。このことはホウ素が不活性化プロセスに直接寄与することを示唆している。活性化エネルギーがホウ素の全濃度に対して直線的に依存することが上記の結論を更に支持する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *Czochralski法 ,  太陽電池 ,  再結合中心 ,  劣化 ,  *不活性化 ,  *光照射 ,  ホウ素 ,  酸素 ,  活性化エネルギー ,  濃度依存性 ,  *ドーパント ,  *不純物補償
準シソーラス用語： 電荷補償

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン結晶 ,  ホウ素 ,  酸素 ,  再結合中心 ,  不活性化 ,  ドーパント ,  補償