文献
J-GLOBAL ID:200902269035287010   整理番号:07A0041004

反応周波数マグネトロンスパッタリングにより堆積したAlドープZnO薄膜 H2誘起特性変化

Al-doped ZnO thin films deposited by reactive frequency magnetron sputtering: H2-induced property changes
著者 (9件):
資料名:
巻: 515  号:ページ: 3057-3060  発行年: 2007年01月22日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
AlドープZnO(AZO)透明導電薄膜を基板温度200°C,異...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0041004&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  光物性一般  ,  半導体結晶の電気伝導 

前のページに戻る