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J-GLOBAL ID：200902269213359755   整理番号：08A0712725

Si(110)-16×2単一ドメイン表面の作製

Fabrication of Si(110)-16×2 Single-domain Surface

著者 (5件)： 山田洋一 (日本原子力研究開発機構) ,  GIRARD Antoine (日本原子力研究開発機構) ,  朝岡秀人 (日本原子力研究開発機構) ,  山本博之 (日本原子力研究開発機構) ,  社本真一 (日本原子力研究開発機構)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 29  号： 7  ページ： 401-406  発行年： 2008年07月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n型Si(110)基板を原材料として外部電場による表面原子拡散を利用して表面形状を制御し,Si(110)-16×2単一ドメイン表面を作製した。本報ではその作製手順の詳細について論じた。得られた表面はきわめて広い範囲で良く定義された一次元構造をとり,表面ホモカイラリティが出現する。表面の一次元構造は水素終端処理により安定化された。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  表面再構成 ,  表面拡散 ,  ナノ構造 ,  *表面構造 ,  カイラル対称性 ,  キラリティ ,  水素終端 ,  *構造

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (29件)：

• YANG, M. IEEE Trans. Electron Devices. 2006, 53, 965
• SATO, T. Phys. Rev. B. 1971, 4, 1950
• MIZUNO, T. IEDM '03 Technical Digest. 2003
• MEREU, B. J. Appl. Phys. 2006, 100, 014504
• STEVENS, Z. H. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5292

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  単一ドメイン ,  作製