電気的に駆動した500nmのInGaN系レーザダイオード

QUEREN Desiree; AVRAMESCU Adrian; BRUEDERL Georg; BREIDENASSEL Andreas; SCHILLGALIES Marc; LUTGEN Stephan; STRAUSS Uwe

文献

J-GLOBAL ID：200902269430398106 整理番号：09A0208453

電気的に駆動した500nmのInGaN系レーザダイオード

500 nm electrically driven InGaN based laser diodes

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資料名：
巻： 94 号： 8 ページ： 081119 発行年： 2009年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低欠陥密度のIn過剰InGaN量子井戸成長の最近の改善に基づいて,波長が500nmと長い電流駆動InGaNレーザダイオードを実証した。レーザ構造はc面GaN基板上に成長させ,広い酸化物絶縁帯を持つレーザダイオードとして加工した。この成長方位に対する長波長レーザダイオードの放射エネルギーに及ぼす圧電場の影響を論じた。8.2kA/cm²の低閾値電流密度と650mW/Aの高いスロープ効率を組合せて,最大数十mWの出力パワーを可能にした。(翻訳著者抄録)

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半導体レーザ

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