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J-GLOBAL ID：200902269515752324   整理番号：08A0055997

Schottky障壁高さ低下のためのNiSi/SiおよびPtSi/Si界面においてドーパント偏析をおこす二つの異なる手法の比較研究

A Comparative Study of Two Different Schemes to Dopant Segregation at NiSi/Si and PtSi/Si Interfaces for Schottky Barrier Height Lowering

著者 (6件)： QIU Zhijun (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  QIU Zhijun (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  ZHANG Zhen (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  OESTLING Mikael (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  ZHANG Shi-Li (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Shi-Li (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 1  ページ： 396-403  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ30nmCMOS技術では通常のソース/ドレイン(S/D)...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Schottky障壁高さ ,  Si ,  界面 ,  ドーパント偏析 ,  手法 ,  研究