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J-GLOBAL ID：200902269638407320   整理番号：08A0476759

Si窒化物ベースの不揮発メモリセルにおけるトラップ電荷の垂直位置の実験キャラクタリゼーション

Experimental Characterization of the Vertical Position of the Trapped Charge in Si Nitride-Based Nonvolatile Memory Cells

著者 (8件)： ARREGHINI Antonio (Univ. Udine, Udine, ITA) ,  DRIUSSI Francesco (Univ. Udine, Udine, ITA) ,  VIANELLO Elisa (Univ. Udine, Udine, ITA) ,  ESSENI David (Univ. Udine, Udine, ITA) ,  VAN DUUREN Michiel J. (NXP Semiconductors, Leuven, BEL) ,  GOLUBOVIC Dusan S. (NXP Semiconductors, Leuven, BEL) ,  AKIL Nader (NXP Semiconductors, Leuven, BEL) ,  VAN SCHAIJK Rob (NXP Semiconductors, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 5  ページ： 1211-1219  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SONOSメモリのデータ保持特性を最適化するためには,シリコン窒化物層のトラップ特性の正確な解析が必要であり,プログラムおよび消去期間に注入されるキャリアのタイプと窒化物にトラップされた電荷の位置の知識が重要である。本論文では,高kトップ誘電体に加えていろいろな酸化物-窒化物-酸化物ゲートスタックを有するいろいろなSONOSデバイスのゲート誘電体中のトラップされた電荷の垂直位置の詳細な解析を示した。この解析を行うために,トラップされた電荷の重心を抽出するために著者らが開発した実験手法を広く適用した。解析の結果,SONOSセルでは電荷重心がシリコン窒化物の中心にあり,その位置はプログラムや消去条件,およびゲートスタック組成に非常に鈍感であることを示した。

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  *不揮発性メモリ ,  記憶素子 ,  電荷 ,  位置測定 ,  *キャラクタリゼーション ,  誘電体 ,  素子構造 ,  絶縁膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： SONOS構造 ,  ゲートスタック ,  ゲート誘電体 ,  *シリコン窒化物 ,  *トラップ電荷 ,  *メモリセル ,  高k誘電体 ,  *垂直位置測定

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si窒化物 ,  不揮発メモリ ,  セル ,  トラップ電荷 ,  垂直 ,  実験 ,  キャラクタリゼーション