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J-GLOBAL ID：200902269667466777   整理番号：03A0685370

GaNをベースにした発光ダイオードの漏れ電流におよぼすNi/Au Ohm接触の熱アニーリングの効果

Effect of thermal annealing of Ni/Au ohmic contact on the leakage current of GaN based light emitting diodes

著者 (3件)： HSU C-Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAN W-H (National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN) ,  WU Y S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 12  ページ： 2447-2449  発行年： 2003年09月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN発光ダイオードの電気特性におよぼす熱アニーリングの効果...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 転位芯

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  発光ダイオード ,  漏れ電流 ,  Ni ,  Au ,  Ohm接触 ,  熱アニーリング