文献

J-GLOBAL ID：200902270436375580   整理番号：08A0251897

SiCの分解によって作製したトップゲートを備えたグラフェンから成る電界効果トランジスター

Top-gated graphene field-effect-transistors formed by decomposition of SiC

著者 (11件)： WU Y. Q. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  YE P. D. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  CAPANO M. A. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  XUAN Y. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  SUI Y. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  QI M. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  COOPER J. A. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  SHEN T. (Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  PANDEY D. (Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  PRAKASH G. (Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  REIFENBERGER R. (Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 9  ページ： 092102  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱的に分解された半絶縁性の4H-SiC基板上に作製されたトップゲートを備えた数層のグラフェンから成る電界効果トランジスター(FET)について報告する。ゲート誘電体として,物理気相堆積したSiO₂を採用した。SiC基板上におけるグラフェン多重層では,炭素原子が修正された格子ベクトルを持つ2次元の6方晶系の配置を持つことが,高分解能走査型トンネル顕微鏡によって確認された。n型およびp型遷移の観測から,グラフェン層におけるDirac-Fermionの特異な輸送特性が確認された。作製したグラフェンFETにおける電子および正孔の移動度は,それぞれ5400および4400cm²/Vsであることが分かった。これらの値は通常のSiC,あるいはSiにおいて得られる値よりも可成り大きい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  ゲート【半導体】 ,  *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  熱分解 ,  基板 ,  誘電体 ,  気相成長 ,  二酸化ケイ素 ,  多層 ,  ベクトル ,  二次元 ,  六方晶系 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  輸送現象 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  分解 ,  作製 ,  トップ ,  ゲート ,  グラフェン ,  電界効果トランジスター