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J-GLOBAL ID：200902270597611225   整理番号：08A0461065

ナノギャップ金構造に局在する増強光電場を利用したフォトレジストのナノパターン形成

著者 (5件)： 上野貢生 ,  高畠聡章 ,  MIZEIKIS Vygantas ,  SAULIUS Juodkazis ,  三澤弘明
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 88th  号： 1  ページ： 95  発行年： 2008年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノギャップを有する金ナノ構造体に生じる入射光の5桁倍にも及ぶ増強された光電場を用いて,フォトレジストのナノパターンを形成し,ナノ光リソグラフィーの基盤技術を構築する。半導体加工技術によりナノギャップ金構造を固体基板上に作製し,均一なフェムト秒レーザー光源を構造体に照射して,局在表面プラズモン励起に基づく増強光電場を形成し,非線形光反応過程を介してフォトレジストへのナノパターンを形成する。(著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *パターン形成 ,  間隙 ,  金 ,  ナノ構造 ,  リソグラフィー ,  フォトリソグラフィー ,  パルスレーザ ,  レーザ照射 ,  表面プラズモン ,  光化学反応 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： ナノパターン形成 ,  ナノギャップ ,  ナノリソグラフィー

分類 (1件)： その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノギャップ ,  増強 ,  光電場 ,  フォトレジスト ,  ナノパターン形成