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J-GLOBAL ID：200902270860377321   整理番号：08A0425102

ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga₂O₃薄膜の成長

著者 (7件)： 篠原大輔 (京大 大学院) ,  西中浩之 (京大 大学院) ,  大島考仁 (京大 大学院) ,  騎馬啓嗣 (京大 大学院) ,  鎌田雄大 (京大 大学院) ,  川原村敏幸 (京大 大学院) ,  藤田静雄 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 618  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  基板 ,  *酸化ガリウム ,  薄膜成長 ,  結晶構造 ,  *X線回折 ,  サファイア基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミストCVD法 ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  成長