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J-GLOBAL ID：200902271309580376   整理番号：08A0945041

歪緩和In_0.35Ga_0.65Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドットの高速キャリア緩和

著者 (5件)： 向井拓也 (徳島大 大学院) ,  高橋朋也 (徳島大 大学院) ,  森田健 (徳島大 大学院) ,  北田貴弘 (徳島大 大学院) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1251  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  不整合転位 ,  *MBE成長 ,  *キャリア寿命 ,  光吸収スペクトル ,  時間分解分光法 ,  化合物半導体 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化インジウム ,  *自己組織系 ,  *可飽和吸収体 ,  非線形光学材料 ,  透過スペクトル
準シソーラス用語： バリア層 ,  ミスフィット転位 ,  歪緩和

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪緩和 ,  バリア層 ,  InAs量子ドット ,  キャリア緩和