電気化学的オゾン生成プロセスのためのスピン被覆TiO<sub>2</sub>膜電極のex situおよびin situキャラクタリゼーション研究

KITSUKA Kenta; KITSUKA Kenta; KANEDA Kazuhiro; IKEMATSU Mineo; ISEKI Masahiro; MUSHIAKE Katsuhiko; OHSAKA Takeo

文献

J-GLOBAL ID：200902271678548818 整理番号：09A1045640

電気化学的オゾン生成プロセスのためのスピン被覆TiO₂膜電極のex situおよびin situキャラクタリゼーション研究

Ex situ and in situ characterization studies of spin-coated TiO₂ film electrodes for the electrochemical ozone production process

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資料名：
巻： 55 号： 1 ページ： 31-36 発行年： 2009年12月15日
JST資料番号： B0535B ISSN： 0013-4686 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

シリコン/酸化チタン/白金/二酸化チタン(Si/TiO_X/Pt/TiO₂)から成る電極をSi/TiO_X/Pt基板上でのスピンコーティングTiO₂多層によって作製し,電気化学的オゾン生成(EOP)に用いた。Si/TiO_X/Pt基板が完全にTiO₂膜で覆われ,15°Cでの0.01M HClO₄中で26.7mAcm^-2の低電流密度において,7%の電流効率が達成された時,EOPは実現した。TiO₂膜はアナターゼ型TiO₂で,X線回折(XRD)と透過型電子顕微鏡(TEM)観察からの開口構造から成ることが判った。さらに,作製されたTiO₂膜は光電気化学測定によって,n型半導体であることが判った。EOPの低電流密度における高効率のTiO₂n型半導体への影響はトンネリング電流としてのTiO₂/HClO₄界面を通過する電子移動からの結果で説明できた。トンネリング電流がTiO₂の空乏層を通過する時,電極電位はEOP作製のために十分高い必要がある。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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電気化学反応 , 半導体薄膜 , その他の半導体を含む系の接触

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