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J-GLOBAL ID：200902271800102940   整理番号：06A0269085

陽極酸化エッチングプロセスを用いた化合物半導体微細構造の作製

著者 (4件)： 塩崎奈々子 ,  佐藤威友 ,  長谷川英機 ,  橋詰保
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 3  ページ： 1492  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： *陽極酸化

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (2件)： プロピレングリコール ,  酒石酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 陽極酸化 ,  エッチングプロセス ,  化合物半導体 ,  微細構造 ,  作製