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J-GLOBAL ID：200902271805855954   整理番号：08A0617430

鋭い電界放出チップのための電界利用酸素エッチング

Field-assisted oxygen etching for sharp field-emission tip

著者 (4件)： RAHMAN Faridur (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  ONODA Jo (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  IMAIZUMI Koji (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  MIZUNO Seigi (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 602  号： 12  ページ： 2128-2134  発行年： 2008年06月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶タングステン(111)配向チップのための単純で反復可能な修飾法を報告した。修飾法はチップ頂点の周辺タングステン原子の電界利用酸素エッチングに基づく。電界イオン顕微鏡(FIM)を用いてエッチングを行い,実時間エッチングを可視化し,同じ形状で電界放出パターンを観察した。タングステンチップの制御したエッチングによる修飾の間に,FIMバイアスは典型的な例では4.4kVから1.6kVに減少した。このバイアス変化は曲率半径の10nmから3nmへの減少に対応する。低バイアス及び非常に低いバイアス電圧で鋭くしたチップは,良い幾何形状の閉込めで電子を放出した。エッチングしたチップの形と電界放出の特性を,電界蒸発とFowler-Nordheimプロットで評価した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電界放出 ,  チップ ,  電場 ,  *酸素 ,  エッチング ,  単結晶 ,  *タングステン ,  結晶面 ,  電界イオン顕微鏡 ,  電圧 ,  閉込め ,  電界蒸発 ,  Fowler-Nordheimトンネリング
準シソーラス用語： バイアス電圧

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界放出 ,  電界 ,  酸素 ,  エッチング