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J-GLOBAL ID:200902271942517489   整理番号:09A0800167

MEMSと微細流体パッケージング用8インチシリコンウエハの表面活性化接合

Surface Activated Bonding of 8 in. Si Wafers for MEMS and Microfluidic Packaging
著者 (2件):
資料名:
巻: 59th Vol.3  ページ: 1423-1429  発行年: 2009年 
JST資料番号: H0393A  ISSN: 0569-5503  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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微小電気機械システム(MEMS)と微細流体素子のパッケージング用室温直接接合が,多種のMEMS計画と構造および新規パッケージングの実現への応用を可能にする技術と現在見なされている。表面活性化接合(SAB)を用いた直接ウエハ接合の課題について検討した。ボンダーの位置合わせ精度,微細構造の接合品質への影響とSiウエハを用いた3次元(3D)接合への実用化可能性を調べた。この検討のため,微細構造パターンの有無による4~8インチシリコンウエハを真空中で接合した。赤外線(IR)透過,引張りと高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)観測を用いたその接合界面の総合検討により,3課題を明確化した。第1の課題はウエハ間の位置合わせであった。この位置合わせ精度は,ウエハを接触する前約5μmであったが,接合後約17μmになった。第2課題は,処理により生じた加工物と粒子による接合界面内の空隙であった。第3課題は,3次元(3D)接合を制御するウエハの湾曲であった。3D接合のため3枚のバルクSi8インチウエハを共に接合した。SAB方法を用いた3D接合には,小湾曲の薄型ウエハが推薦される。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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