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J-GLOBAL ID：200902272062921333   整理番号：06A0454894

遷移金属黄銅鉱型半導体における孤立中間バンド形成の第一原理計算

First principles calculation of isolated intermediate bands formation in a transition metal-doped chalcopyrite-type semiconductor

著者 (4件)： PALACIOS P. (UPM, Madrid, ESP) ,  SANCHEZ K. (UPM, Madrid, ESP) ,  CONESA J. C. (CSIC, Madrid, ESP) ,  WAHNON P. (UPM, Madrid, ESP)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 203  号： 6  ページ： 1395-1401  発行年： 2006年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より効率的な光起電力効果の要求に対し,最近,部分的に満たされ...

シソーラス用語： 遷移金属 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属 ,  黄銅鉱 ,  中間バンド ,  第一原理計算