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J-GLOBAL ID：200902272306578938   整理番号：08A0178695

光増幅器および発光体に向けてのErSiO超格子結晶導波路のデモンストレーション

Demonstration of ErSiO superlattice crystal waveguide toward optical amplifiers and emitters

著者 (3件)： ISSHIKI H. (Univ. Electro-communications, Tokyo, JPN) ,  USHIYAMA T. (Univ. Electro-communications, Tokyo, JPN) ,  KIMURA T. (Univ. Electro-communications, Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205  号： 1  ページ： 52-55  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS対応フォトニクスに関する基礎研究の一環として,本研究では,ErSiO超格子結晶(厚さ220nm)の導波路をSiO₂/Si基板上に構成し,光増幅器および発光体としての特性を調べた。超格子調製には,ゾル-ゲル法と,Ar雰囲気でのアニーリングによる結晶化とを用いた。その結果に基づいて,1)利得制限因子としての協同的周波数逓倍を,導波路に沿って周波数逓倍発光減衰から論じたこと,2)周波数逓倍過程は,⁴I_13/2状態から⁴I_15/2状態への放射遷移と同程度であること,などを記した。

シソーラス用語： 人工超格子 ,  *エルビウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  基板 ,  ケイ素 ,  多層 ,  *超薄膜 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  スペクトル線強度 ,  光増幅器 ,  *光導波路 ,  半導体素子 ,  ゾル-ゲル法 ,  結晶化 ,  焼なまし ,  周波数逓倍 ,  雰囲気 ,  アルゴン ,  電子遷移 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  発光素子

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光増幅器 ,  発光体 ,  超格子 ,  結晶 ,  導波路 ,  デモンストレーション