文献
J-GLOBAL ID:200902272309004657   整理番号:03A0258138

低温アニールした[Ga,Mn]Asエピ層の著しいCurie点上昇

Highly enhanced Curie temperature in low-temperature annealed [Ga,Mn]As epilayers
著者 (9件):
資料名:
巻: 82  号: 14  ページ: 2302-2304  発行年: 2003年04月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaAs基板上にMBE法により標記に薄膜(膜厚,10~100...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0258138&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属結晶の磁性  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る