低温アニールした[Ga,Mn]Asエピ層の著しいCurie点上昇

KU K C; POTASHNIK S J; WANG R F; CHUN S H; SCHIFFER P; SAMARTH N; SEONG M J; MASCARENHAS A; AWSCHALOM D D

文献

J-GLOBAL ID：200902272309004657 整理番号：03A0258138

低温アニールした[Ga,Mn]Asエピ層の著しいCurie点上昇

Highly enhanced Curie temperature in low-temperature annealed [Ga,Mn]As epilayers

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巻： 82 号： 14 ページ： 2302-2304 発行年： 2003年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs基板上にMBE法により標記に薄膜(膜厚,10~100...

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金属結晶の磁性 , 半導体薄膜

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