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J-GLOBAL ID：200902272577822907   整理番号：08A1201541

MBEを用いて成長させた変調ドープZnSe:Teの光ルミネセンス

Photoluminescence of Modulation-Doped ZnSe:Te Grown by Using MBE

著者 (10件)： SHIGAURA G. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  ICHINOHE Y. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KANAMORI M. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KYOH K. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  HONMA K. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KIMURA Na. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KIMURA No. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  SAWADA T. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  SUZUKI K. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  IMAI K. (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 53  号： 5 Pt.2  ページ： 2901-2904  発行年： 2008年11月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSe:Te変調ドープ試料のそれぞれ2.68および2.42eV周辺におけるS1およびS2と呼ばれる強い放出バンドの光ルミネセンス(PL)性質を研究した。ZnSeの分子線エピタキシー成長過程におけるシャッター操作手順を用いてTe含有量を制御した,すなわち,1単層に満たない極薄ZnTe部分をもつZnSe-ZnTe超格子を成長させた。本研究ではこの試料を変調ドープZnSe:Teと呼ぶ。S1およびS2放出バンドを同時にもつ試料の場合,試料はS1からS2状態へのキャリアー輸送過程をもち,S1の強度は励起強度に非線形に依存する。両方の放出を同時に示す試料ではS1およびS2バンドが二重井戸ポテンシャルを構成すると予測する。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *変調ドーピング ,  *セレン化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  人工超格子

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  成長 ,  変調ドープ ,  ZnSe ,  Te ,  光ルミネセンス