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J-GLOBAL ID：200902272897281963   整理番号：08A1148562

シングル金属/ゲートファーストプロセスによる低電力用途のためのコスト有効32nm高k/金属ゲートCMOS技術

A Cost Effective 32nm High-K/Metal Gate CMOS Technology for Low Power Applications with Single-Metal/Gate-First Process

著者 (40件)： CHEN X. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  SAMAVEDAM S. (Freescale Semiconductor) ,  NARAYANAN V. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  STEIN K. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HOBBS C. (Freescale Semiconductor) ,  BAIOCCO C. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  LI W. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  JAEGER D. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  ZALESKI M. (Freescale Semiconductor) ,  YANG H. S. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KIM N. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  LEE Y. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  ZHANG D. (Freescale Semiconductor) ,  KANG L. (Freescale Semiconductor) ,  CHEN J. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  ZHUANG H. (Infineon Technol. AG) ,  SHEIKH A. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  WALLNER J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  AQUILINO M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HAN J. (Infineon Technol. AG) ,  JIN Z. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  LI J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  MASSEY G. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KALPAT S. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  JHA R. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  MOUMEN N. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  MO R. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KIRSHNAN A. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  WANG X. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  CHUDZIK M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  CHOWDHURY M. (Freescale Semiconductor) ,  NAIR D. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  REDDY C. (Freescale Semiconductor) ,  TEH Y. W. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  KOTHANDARAMAN C. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  COOLBAUGH D. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  PANDEY S. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  TEKLEAB D. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  THEAN A. (Freescale Semiconductor) ,  SHERONY M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2008  ページ： 67-68  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モバイル用途の急速な成長が,強化性能,低スタンバイ電力およびコスト増加のないアクティブ電力を提供できる低電力CMOS技術を必要としている。本稿では,コスト有効32nm低スタンバイ電力と低動作電力技術プラットフォームを提供した。これは,NFETとPFETのための有効バンドエッジ仕事関数解のゲートファーストおよびシングル金属 高k/金属ゲートプロセスを用いた。高k/金属ゲートのEOTスケーリングが,積極的なゲート長スケーリングおよびよい静的雑音余裕の高密度SRAMセルによる優れたトランジスタ性能を可能にした。高k/金属ゲート素子の良い雑音特性と信頼性を確認した。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *誘電体 ,  ゲート【半導体】 ,  *半導体プロセス ,  *消費電力 ,  *価格 ,  雑音特性 ,  信頼性
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  ゲートファースト ,  金属ゲート ,  高k誘電体 ,  低コスト ,  低電力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  用途 ,  金属ゲート ,  CMOS技術