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J-GLOBAL ID：200902273159336113   整理番号：03A0469903

エピタキシャルγ-Al₂O₃/Si基板上への強誘電体薄膜形成

Ferroelectric Thin Films on Epitaxial γ-Al₂O₃/Si Substrates

著者 (5件)： 赤井大輔 (豊橋技科大) ,  余川三香子 (豊橋技科大) ,  平林京介 (豊橋技科大) ,  沢田和明 (豊橋技科大) ,  石田誠 (豊橋技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 51(SDM2003 33-49)  ページ： 61-65  発行年： 2003年05月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上にCVD法によりエピタキシャル成長させたγ-Al<...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  γ-AL2O3 ,  Si基板 ,  強誘電体薄膜