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J-GLOBAL ID：200902273227367316   整理番号：07A0506393

SiGe HBT電力増幅器とSiGe HBT電圧制御発振器間のK帯基板結合の探求

An Exploration of Substrate Coupling at K-Band Between a SiGe HBT Power Amplifier and a SiGe HBT Voltage-Controlled-Oscillator

著者 (5件)： COMEAU Jonathan P. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  NAJAFIZADEH Laleh (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  ANDREWS Joel M. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  PRAKASH A. P. Gnana (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  CRESSLER John D. (Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 17  号： 5  ページ： 349-351  発行年： 2007年05月 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe HBT(heterojunction bipola...

シソーラス用語： *電力増幅器 ,...
準シソーラス用語： SiGe

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分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  HBT ,  電力増幅器 ,  電圧制御発振器 ,  K帯