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J-GLOBAL ID：200902273574809310   整理番号：07A0478730

有機金属気相エピタクシーによるパータン化6H-SiC基板上への低転位AlNブリッジ層の成長における高温の影響

Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (6件)： BALAKRISHNAN Krishnan (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  BANDOH Akira (Showa-Denko K.K., Chiba, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 12-16  ページ： L307-L310  発行年： 2007年04月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNブリッジ層の新しい高温MOVPE法による成長について報...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： *MOVPE ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  6H-SiC ,  転位 ,  AlN ,  ブリッジ ,  成長