文献

J-GLOBAL ID：200902273596455342   整理番号：03A0519514

分子層エピタクシーを用いて作製した240~325GHz GaAs CW 基本モードTUNNETTダイオード

240-325-GHz GaAs CW Fundamental-Mode TUNNETT Diodes Fabricated With Molecular Layer Epitaxy

著者 (4件)： PLOTKA P (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN) ,  NISHIZAWA J (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN) ,  KURABAYASHI T (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN) ,  MAKABE H (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 4  ページ： 867-873  発行年： 2003年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子層エピタクシー(MLE)を用いて100nmと150nmの...

シソーラス用語： 走行時間 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0519514&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子 ,  エピタクシー ,  作製 ,  GaAs ,  CW ,  基本モード ,  ダイオード