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J-GLOBAL ID:200902273596455342   整理番号:03A0519514

分子層エピタクシーを用いて作製した240~325GHz GaAs CW 基本モードTUNNETTダイオード

240-325-GHz GaAs CW Fundamental-Mode TUNNETT Diodes Fabricated With Molecular Layer Epitaxy
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 867-873  発行年: 2003年04月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分子層エピタクシー(MLE)を用いて100nmと150nmの...
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分類 (1件):
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ダイオード 

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