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J-GLOBAL ID：200902273667381566   整理番号：03A0487136

ゲルマニウムpチャネルMOSFETの電気的特性

Electrical Characterization of Germanium p-Channel MOSFETs

著者 (8件)： SHANG H (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  OKORN-SCHIMDT H (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  OTT J (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  KOZLOWSKI P (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  STEEN S (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  JONES E C (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  WONG H-S P (T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  HANESCH W (T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 24  号： 4  ページ： 242-244  発行年： 2003年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンCMOSデバイスの微細化がますます難しくなってくるに...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲルマニウム ,  pチャネルMOSFET ,  電気的特性