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J-GLOBAL ID：200902273834527799   整理番号：08A0557365

ミクロン-およびサブミクロン-パターン化TbFe薄膜中での動的加熱

Dynamic Heating in Micron- and Submicron-Patterned TbFe Films

著者 (4件)： YOU Long (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATO Takeshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUNASHIMA Shigeru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IWATA Satoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 1 Issue 1  ページ： 146-149  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱アシスト書込み計略のための電流パルスを用いたミクロン-およびサブミクロン-パターン化TbFe薄膜の動的加熱を研究した。パルス幅による要求されるパワー/エネルギー密度の進展を実験測定および数値的熱シミュレーションを用いて研究した。研究した電流パルス幅(0.01ns-1μs)でのシミュレーションによって2つの加熱領域(断熱および拡散領域)が示された。書き込みに要求されるエネルギー密度はパルス幅およびエレメントサイズにはほとんど独立で,断熱領域と関連した非常に短いパルス幅で約13pJ/μm²であった。拡散領域中に2つの異なるゾーンも観察され,加熱パワー密度のパルス幅変化(Δt)への依存性が各ゾーンで1-exp(-Δt/t₁)現象変化を示した。異なるサイズでの4つのパターン化されたTbFe薄膜の書き込みのために必要なパワー/エネルギー密度が10から1000nsまでのパルス幅の範囲で測定され,実験結果がシミュレーションによってうまく説明付けられた。10nsのパルス持続時間を用いた0.74μm²パターン化薄膜の書き込みに対して要求されるパワー密度が約P=2mW/μm²であると算出され,これはE=20pJ/μm²のエネルギー密度に対応した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 鉄合金 ,  エルビウム含有合金 ,  *磁性薄膜 ,  磁気抵抗効果 ,  サブミクロン加工 ,  微細加工 ,  データ書込 ,  加熱 ,  パターン形成 ,  密度 ,  エネルギー密度 ,  *熱磁気記録 ,  計算機シミュレーション ,  パルス幅 ,  過渡現象
準シソーラス用語： パワー密度

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (14件)：

• J. C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mater.159(1996) L.
• J. A. Katine, F. J. Albert, R. A. Buhrman, E. B. Myers, and D. C. Ralph: Phys. Rev. Lett.84(2000)3149.
• Y. Huai, M. Pakala, Z. Diao, and Y. Ding: Appl. Phys. Lett.87(2005)222510.
• R. S. Beech, J. A. Anderson, A. V. Pohm, and J. M. Daughton: J. Appl. Phys.87(2000)6403.
• M. Kerekes, R. C. Sousa, I. L. Prejbeanu, O. Redon, U. Ebels, C. Baraduc, B. Dieny, and J. P. Nozieres: J. Appl. Phys.97(2005)10P501.

タイトルに関連する用語 (3件)： サブ ,  パターン化 ,  薄膜