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J-GLOBAL ID：200902273948370474   整理番号：09A1173250

SiCを基本とするバイポーラ素子に関する設計と技術的考察:BJT,IGBTおよびGTO

Design and technology considerations for SiC bipolar devices: BJTs, IGBTs, and GTOs

著者 (2件)： ZHANG Qingchun (CREE, Inc., NC, USA) ,  AGARWAL Anant K. (CREE, Inc., NC, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 206  号： 10  ページ： 2431-2456  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCを基本とするハイパワーのバイポーラ接合型トランジスター(BJT)は,オン-抵抗が低く,通常はオフ状態で,オン状態の抵抗の温度係数が正で,電流利得の温度係数が負で,そしてスイッチング速度が速いという特徴を持つので,最近注目されている。過去数年間に亘って,SiC材料自身やSiCを基本とするパワー素子の性能が急速に改善されてきた。Schottky型ダイオード,JFETおよびMOSFETのようなSiCを基本とするユニポーラ素子が急速に発展し,パワー素子にこれらの素子を組み込むことの利点が明らかにされてきた。しかし,ユニポーラ素子を高電圧下で作動させると,ドリフト層の抵抗が大きいために,オン-状態では大量の熱が発生するという問題が生じる。本稿では,SiCを基本とするオン-抵抗が小さいバイポーラ素子,バイポーラ接合型トランジスター(BJT),絶縁ゲート型バイポーラトランジスター(IGBT)およびゲートターンオフサイリスタ(GTO)の物理と技術的考察について,現状と将来における傾向に重点をおいて概説する。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  バイポーラトランジスタ ,  *接合形FET ,  *IGBT ,  *GTO【サイリスタ】 ,  設計
準シソーラス用語： ゲートターンオフサイリスタ ,  接合型電界効果トランジスタ ,  素子設計

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  バイポーラ ,  設計 ,  BJT ,  IGBT ,  GTO