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J-GLOBAL ID：200902274288690361   整理番号：08A1230750

ErBa₂Cu₃O_7-δ薄膜中におけるBa(Er_0.5Nb_0.5)O₃ナノロッドの成長機構とピンニング効果

著者 (10件)： 甲斐英樹 (九大) ,  向田昌志 (九大) ,  森信幸 (九大) ,  山田和広 (九大) ,  寺西亮 (九大) ,  堀井滋 (東大) ,  一瀬中 (電力中研) ,  喜多隆介 (静大) ,  松本要 (九州工大) ,  吉田隆 (名古屋大)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 79th  ページ： 3  発行年： 2008年11月12日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： REBa₂Cu₃O_7-δ系超伝導薄膜の磁場中での臨界電流密度(J_C)向上を目的として,膜中への人工ピンニングセンターの導入が行われている。これまでBa複合酸化物をターゲット中に混合することで膜中に柱状欠陥(ナノロッド)が成長し,c-軸相関ピンとして機能することが多数報告されてきた。しかしながら,そのナノロッドのサイズや分布密度の詳細な制御は未だ報告されていない。これまで我々は,PLD法を用いてBaNb₂O₆(BNO)ドープErBCO薄膜を作製し,膜中にナノロッドを導入することに成功した。その一方で,ナノロッドの直径,密度及び成長方向は試料の成膜条件に強く依存することが分かってきた。そこで本研究では,成膜時の温度及びBNOドープ濃度の異なる試料について組織観察の結果を比較すると共に,その組織変化に伴う超伝導特性への影響を明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： 高温超伝導体 ,  *超伝導薄膜 ,  *酸化物 ,  *銅化合物 ,  バリウム化合物 ,  エルビウム化合物 ,  *ナノロッド ,  *磁束ピン止め ,  *臨界電流密度 ,  ニオブ酸塩 ,  格子欠陥 ,  *レーザ蒸着 ,  微細構造
準シソーラス用語： 柱状欠陥

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

引用文献 (3件)：

• MACMANUS-DRISCOLL, J. L. Nat. Mater. 2004, 3, 439
• MUKAIDA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L952
• KAI, H. Physica C. 2007, 463-465, 895

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  Ba ,  O3 ,  ナノロッド ,  成長 ,  ピンニング