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J-GLOBAL ID：200902274459347873   整理番号：08A0194387

カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて

Approaches to the high temperature operation of the carbon nanotube single electron transistor

著者 (9件)： 森貴洋 (理研) ,  佐藤俊介 (理研) ,  佐藤俊介 (東京理大 理) ,  大村一夫 (理研) ,  大村一夫 (東京理大 理) ,  内田勝美 (東京理大 理) ,  矢島博文 (東京理大 理) ,  石橋幸治 (理研) ,  石橋幸治 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 473(ED2007 237-251)  ページ： 43-46  発行年： 2008年01月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トランジスタの室温動作に向けて,動作温度の向上を図っている。その温度特性は,クーロンアイランドを形成するバリアの特性が大きな決定要因となっている。本報告では我々の高温動作に向けてのアプローチとして,有機高分子によるバリア特性を改善する手法と,イオンビーム照射によって導入される部分的な高抵抗部をバリアに用いる手法について報告する。現在のところ,これらの手法によってそれぞれ80Kおよび120Kでの動作を確認している。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノチューブ ,  *単一電子トランジスタ ,  *高温 ,  室温 ,  カルボキシメチルセルロース ,  イオンビーム加工 ,  カーボンナノチューブ ,  単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： SWNT ,  CMC【セルロース】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  単電子トランジスタ ,  高温動作