HASHIMOTO Y. について
Imaging Sci. and Engineering Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259-R2-57 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN について
MUNEKATA H. について
Imaging Sci. and Engineering Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259-R2-57 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN について
Applied Physics Letters について
化合物半導体 について
ヒ化ガリウム について
ドーピング について
マンガン について
光ポンピング について
磁化 について
Larmor歳差 について
コヒーレンス について
磁性半導体 について
エピタクシー について
磁性薄膜 について
半導体薄膜 について
非線形効果 について
トルク について
希薄磁性半導体 について
磁気トルク について
その他の無機化合物の磁性 について
半導体薄膜 について
光ポンピング について
強磁性半導体 について
Ga について
Mn について
磁化 について
歳差 について
コヒーレント について