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J-GLOBAL ID：200902274591506875   整理番号：08A1243458

数個の電子を含む量子ドットスピンバルブにおけるトンネル磁気抵抗効果

Tunneling magnetoresistance effect in a few-electron quantum-dot spin valve

著者 (10件)： HAMAYA K. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  KITABATAKE M. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  SHIBATA K. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  JUNG M. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  KAWAMURA M. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  ISHIDA S. (Res. Center for Advanced Sci. and Technol., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  TANIYAMA T. (Japan Sci. and Technol. Agency, PRESTO, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi 332-0012, JPN) ,  HIRAKAWA K. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  ARAKAWA Y. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN) ,  MACHIDA T. (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 22  ページ： 222107  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)を基本とする横型スピンバブル素子において,数個の電子を含む半導体QDを通過するトンネル磁気抵抗(TMR)効果を実証した。一電子から二電子遷移においては,逆TMR効果だけが観測されることが分かった。ここで,TMR比はJulliereモデルに基づく値に比べて相対的に大きいことが分かった。このバイアスウインドウがQDの充電エネルギー近くになると,TMRは殆ど消失することが判明した。これらの特徴は,二つの電子を含むQDの基底状態を経由するスピン輸送を用いて説明できることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *素子構造 ,  磁気抵抗効果 ,  トンネル効果 ,  電子遷移 ,  基底状態 ,  *輸送現象 ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  ニッケル ,  強磁性体 ,  リード線 ,  自己組織系 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  *スピンバルブ ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  *スピン輸送

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  量子ドット ,  スピンバルブ ,  トンネル磁気抵抗効果