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J-GLOBAL ID：200902274767473570   整理番号：08A0580803

Si(110)表面への原子状水素の吸着と抽出

Adsorption and abstraction of atomic hydrogen on the Si(110) surfaces

著者 (5件)： KHAN A.r. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NARITA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NAMIKI A. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KATO A. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN) ,  SUEMITSU M. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 602  号： 11  ページ： 1979-1986  発行年： 2008年06月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(110)表面でのH原子によるD吸着原子の抽出反応を研究した。HD分子を生成する直接抽出は,D被覆率θ_Dでの二次反応速度則に従う。他方,D₂分子を生成する関接抽出はθ_Dでの四次反応速度則に従う。直接抽出に加え,H曝露中の積重なったHに因りHD分子を生成する関接抽出もまた含まれる。関接抽出は,二重水素化物で飽和した表面で促進されることが分り,二重水素化物(ニ水素化物)が関接抽出経路で重要な役割を果すことを示唆した。Si(110)表面での抽出反応動力学は,Si(100)表面でのものに似ているように思われる。しかし,遅れたD₂脱着はSi(100)表面でのものと異なる時間プロファイルを示した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *半導体材料 ,  *結晶面 ,  *水素 ,  *吸着 ,  *抽出 ,  重水素 ,  原子 ,  化学反応 ,  反応次数 ,  反応速度論 ,  遅れ ,  脱着 ,  標識法 ,  吸着原子 ,  *原子状水素 ,  二次反応 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  プロファイル ,  時間遅れ ,  反応動力学

分類 (3件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  反応速度論・触媒一般  (CB06010G) ,  標識化合物  (CB10050N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  原子状水素 ,  吸着