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J-GLOBAL ID：200902274793733377   整理番号：09A0537442

W(110)上Ce(111)の価電子バンドからの光電子放出

Photoemission from the valence bands of Ce(111) on W(110)

著者 (4件)： MORIMOTO O. (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., 2-313 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima 739-0046, JPN) ,  KATO H. (Fac. of Sci. and Technol., Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN) ,  ENTA Y. (Fac. of Sci. and Technol., Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN) ,  SAKISAKA Y. (Fac. of Sci. and Technol., Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 603  号： 13  ページ： 2145-2151  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でW(110)上に成長したエピタキシャルCe(111)膜の価電子バンドの光電子分光研究を報告した。Ceのγ→α→γ相転移の展開をCe被覆率を増加させて観察し,γ状Ce膜の価電子バンド構造を決定した。光子エネルギー範囲20eV~130eVの4fと5d光電子放出断面積を示し,議論した。5d様表面状態と6sバンド底を確認した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： タングステン ,  *セリウム ,  *価電子バンド ,  *光電子放出 ,  室温 ,  エピタクシー ,  *金属薄膜 ,  光電子分光法 ,  相転移 ,  被覆率 ,  断面積 ,  表面準位 ,  結晶面
準シソーラス用語： 表面状態

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ce ,  価電子バンド ,  光電子放出