研究者
J-GLOBAL ID:200901040320057841   更新日: 2020年08月30日

遠田 義晴

エンタ ヨシハル | Enta Yoshiharu
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://www.st.hirosaki-u.ac.jp/~enta
研究分野 (4件): 薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • Si表面初期窒化過程
  • Si表面初期酸化過程
  • 半導体結晶成長に関する研究
論文 (2件):
  • Enta Yoshiharu, Nakazawa Hideki, Sato Sumiya, Kato Hiroo, Sakisaka Yasuo. Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission. Journal of Physics: Conference Series. 2010. 235. 1
  • Suemitsu M, Kato A, Togashi H, Konno A, Yamamoto Y, Teraoka Y, Yoshigoe A, Enta Y, Narita Y. Real-Time Observation of Initial Thermal Oxidation on Si(110)-16x2 Surface by Photoemission Spectroscopy. ECS Transactions - Cancun. 2006. 3. 2. 311-316
MISC (4件):
学歴 (2件):
  • - 1991 東北大学 理学研究科 物理学
  • - 1986 東北大学 理学部 物理学
学位 (1件):
  • 理学博士 (東北大学)
経歴 (1件):
  • 1991 - 1999 東北大学 助手
所属学会 (4件):
電子情報通信学会(国内) ,  放射光学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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