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J-GLOBAL ID:200902274995541291   整理番号:06A0057497

Cat-CVDによるSiNゲート絶縁膜とパッシベーション層を用いたfTが163GHzのAlGaN/GaN MIS-HFET

AlGaN/GaN MIS-HFETs With fT of 163GHz Using Cat-CVD SiN Gate-Insulating and Passivation Layers
著者 (3件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 16-18  発行年: 2006年01月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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