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J-GLOBAL ID：200902274995541291   整理番号：06A0057497

Cat-CVDによるSiNゲート絶縁膜とパッシベーション層を用いたf_Tが163GHzのAlGaN/GaN MIS-HFET

AlGaN/GaN MIS-HFETs With f_T of 163GHz Using Cat-CVD SiN Gate-Insulating and Passivation Layers

著者 (3件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 1  ページ： 16-18  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN障壁厚が8nmで,ゲート長(L<sub>G</su...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： HFET ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cat-CVD ,  SiN ,  ゲート絶縁膜 ,  パッシベーション層 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HFET