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J-GLOBAL ID：200902275086074606   整理番号：06A0574110

Co-Fe-B/MgO/Co-Fe-B磁気トンネル接合における自由層厚に対するスピン移動スイッチング電流の依存性

Dependence of spin-transfer switching current on free layer thickness in Co-Fe-B/MgO/Co-Fe-B magnetic tunnel junctions

著者 (10件)： KUBOTA Hitoshi (Nanoelectronics Res. Inst. (NeRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono ...) ,  FUKUSHIMA Akio (Nanoelectronics Res. Inst. (NeRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono ...) ,  OOTANI Yuichi (Nanoelectronics Res. Inst. (NeRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono ...) ,  YUASA Shinji (Nanoelectronics Res. Inst. (NeRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono ...) ,  ANDO Koji (Nanoelectronics Res. Inst. (NeRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono ...) ,  MAEHARA Hiroki (Electron Device Div., Canon ANELVA Corp., 5-8-1, Yotsuya, Fuchu 183-8508, JPN) ,  TSUNEKAWA Koji (Electron Device Div., Canon ANELVA Corp., 5-8-1, Yotsuya, Fuchu 183-8508, JPN) ,  DJAYAPRAWIRA David D. (Electron Device Div., Canon ANELVA Corp., 5-8-1, Yotsuya, Fuchu 183-8508, JPN) ,  WATANABE Naoki (Electron Device Div., Canon ANELVA Corp., 5-8-1, Yotsuya, Fuchu 183-8508, JPN) ,  SUZUKI Yoshishige (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3, Machikaneyama, Toyonaka 560-8531, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 3  ページ： 032505-032505-3  発行年： 2006年07月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Co-Fe-B/MgO/Co-Fe-B磁気トンネル接合におい...

シソーラス用語： *トンネル接合 ,...
準シソーラス用語： ランダムアクセスメモリ ,...

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分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (8件)： CO ,  Fe ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  層厚 ,  スピン移動 ,  スイッチング電流 ,  依存性