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J-GLOBAL ID：200902275164942113   整理番号：05A0244145

有機金属化学気相蒸着法によって成長させた低温成長AlGaAsクラッド層を持つ積層InAs/GaAs量子ドットからの1.28μmレーザ発振

1.28μm lasing from stacked InAs/GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (8件)： TATEBAYASHI J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HATORI N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIDA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  EBE H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGAWARA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUDO H (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KURAMATA A (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 5  ページ： 053107.1-053107.3  発行年： 2005年01月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相蒸着法により成長させた,低温成長AlGaAs...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (10件)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  低温成長 ,  AlGaAs ,  クラッド層 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  レーザ発振