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J-GLOBAL ID：200902275362155771   整理番号：07A0739489

非常に低いオン抵抗5mΩcm²を持つ1.2kV 4H-SiC MOSFETの開発成功

Successful Development of 1.2kV 4H-SiC MOSFETs with the Very Low On-Resistance of 5mΩcm²

著者 (8件)： MIURA Naruhisa (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  FUJIHIRA Keiko (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NAKAO Yukiyasu (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  WATANABE Tomokatsu (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TARUI Yoichiro (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KINOUCHI Shin-ichi (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  IMAIZUMI Masayuki (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OOMORI Tatsuo (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 18th  ページ： 261-264  発行年： 2006年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETは,将来のパワースイッチングアプリケーシ...

シソーラス用語： 界面 ,...
準シソーラス用語： *4H-SiC ,...

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分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： オン抵抗 ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  開発 ,  成功