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J-GLOBAL ID：200902275602751172   整理番号：09A1128285

ビス(カルバゾリル)ベンゾジフラン ホモ接合有機発光ダイオード素子のための高移動度両極性材料

Bis(carbazolyl)benzodifuran: A High-Mobility Ambipolar Material for Homojunction Organic Light-Emitting Diode Devices

著者 (5件)： TSUJI Hayato (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MITSUI Chikahiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SATO Yoshiharu (JST-ERATO, Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Eiichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Eiichi (JST-ERATO, Tokyo, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 37  ページ： 3776-3779  発行年： 2009年10月05日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3,7-ビス[4-(N-カルバゾリル)フェニル]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′-]ジフラン(CZBDF)を合成した。電子および正孔移動度がいずれも>10^-3cm²/Vsと高く,サイクリックボルタンメトリーからHOMO/LUMOバンドギャップ>3eVのワイドギャップの両極性半導体である。分解開始温度は450°C,ガラス転移点は162°Cである。ITO/CZBDF(V₂O₅)・CZBDF/CZBDF(Cs)/Al積層構造ダイオードはしきい電圧1V,オンオフ比10³を示した。428nmに蛍光を示し,テトラ-tert-ブチルペリレン(青),C545T(緑),Ir(piq)₃(赤)との共蒸着膜による一連のホモ接合OLEDを作製した。外部量子収量は4.2~6.8%。最大発光強度60590cd/m²を得た。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  半導体接合 ,  窒素複素環化合物 ,  *酸素複素環化合物 ,  *芳香族縮合化合物 ,  キャリア移動度 ,  化学合成 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  有機半導体 ,  分解温度 ,  熱安定性 ,  ガラス転移点 ,  電極 ,  積層構造 ,  ドーピング ,  酸化バナジウム ,  セシウム ,  ダイオード ,  蛍光 ,  イリジウム錯体 ,  *芳香族縮合炭化水素 ,  放射強度 ,  量子収量 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： HOMO-LUMOギャップ ,  ITO電極 ,  アルミニウム電極 ,  オンオフ比 ,  カルバゾール誘導体 ,  ホモ接合 ,  ワイドバンドギャップ ,  発光強度 ,  有機発光ダイオード ,  両極性 ,  閾値電圧 ,  *OLED ,  *ベンゾフラン誘導体 ,  *ペリレン誘導体

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  ピロールの縮合誘導体  (CF07077C) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (4件)： 1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オン ,  1-フェニルイソキノリン ,  2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン ,  2,6-ジフェニル-3,7-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジフラン

タイトルに関連する用語 (5件)： ビス ,  ホモ接合 ,  有機発光ダイオード ,  高移動度 ,  両極性