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J-GLOBAL ID：200902275654683680   整理番号：09A0190648

ウェハボンディングによるGe/Siヘテロ接合形成とフォトダイオード特性

著者 (3件)： 神戸宏 (高知工科大 工) ,  宮地正之 (高知工科大 工) ,  廣瀬真美 (高知工科大 工)
資料名： 高知工科大学紀要  (Research Bulletin. Kochi University of Technology)
巻： 5  号： 1  ページ： 153-160  発行年： 2008年12月26日 
JST資料番号： L7194A  ISSN： 1348-4842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： これまでにウエハボンディングによるGeとSi間の接合形成条件を検討してきたが,比較的安定にGe/Siへテロ接合の実現が可能になり,これを用いてアバランシェフォトダイオード実現を目指して,メサ型フォトダイオードを作製し,その特性について報告した。測定した素子の暗電流は通常のpn接合Siと比較して数桁大きく改善の必要を認めた。光電流測定から1.0μm~1.55μmの範囲で量子効率40%以上を確認した。容量-電圧特性の杜の比較から,pn接合から伸びる空乏層がヘテロ界面に達すと,光生成キャリアがヘテロ界面を越えて流れることを確認した。作製したフォトダイオードの分光感度及びパルス応答特性の初期的データを得た。ヘテロ界面のTEM観察及び元素分析の結果からヘテロ接合が形成されていることを確認した。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  アバランシェフォトダイオード ,  *フォトダイオード ,  メサ構造 ,  暗電流 ,  *量子効率 ,  透過型電子顕微鏡 ,  空乏層 ,  分光感度 ,  インパルス応答 ,  元素分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  光電流 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  赤外検出器
準シソーラス用語： *ウエハボンディング

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウェハ ,  ボンディング ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  フォト ,  ダイオード特性