文献

J-GLOBAL ID：200902275803256315   整理番号：04A0870107

高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極

Al-Free n-Type Ohmic Contact for AlGaN/GaN Power HEMTs

著者 (6件)： 多木俊裕 (富士通研) ,  金村雅仁 (富士通研) ,  高橋剛 (富士通研) ,  吉川俊英 (富士通研) ,  常信和清 (富士通研) ,  原直紀 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 359(CPM2004 90-108)  ページ： 83-86  発行年： 2004年10月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高出力AlGaN/GaN HEMT用の新規オーミック電極を開...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： AlGaN ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0870107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高出力 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  Al ,  オーミック電極