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J-GLOBAL ID：200902275843269096   整理番号：08A0248948

透過性パルスレーザによる極薄シリコンウェハの内部改質

Internal Modification of Ultra Thin Silicon Wafer by Permeable Pulse Laser

著者 (6件)： 大村悦二 (大阪大 大学院工学研究科) ,  熊谷正芳 (浜松ホトニクス) ,  福満憲志 (浜松ホトニクス) ,  中野誠 (浜松ホトニクス) ,  内山直己 (浜松ホトニクス) ,  森田英毅 (浜松ホトニクス)
資料名： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
巻： 74  号： 3  ページ： 275-281  発行年： 2008年03月05日 
JST資料番号： F0268B  ISSN： 1348-8716  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本報ではステルスダイシング(SD)法を50μm厚のシリコンウェハに適用して熱伝導解析を行い,焦点深さによる加工結果の違いを調べ,実験により解析結果の妥当性について検証した。これにより得た主な知見を次に示した。1)焦点深さz₀が30μmのときは,これまでの100μm厚のウエハで焦点深さを60μmとしたときの温度履歴とよく似通った解析結果が得られ,同様な内部改質層が生成すること,2)z₀=15μmのときは,内部に改質層が生成するものの,表面がアブレーションすること.これについては熱衝撃波が表面に達し,表面で顕著なレーザ吸収が起こるためであること,3)z₀=0μmのときは,表面が激しくアブレーションすること,4)これらの予測結果は実験結果とよく一致すること,5)これらから本研究の解析モデルおよび解析方法ならびに解析結果の妥当性を示したこと,6)本研究の解析モデルと解析方法を用いれば,加工プロセスをよく理解でき,加工結果をある程度予測でき,レーザ照射条件の最適化を図る上で有用であること,7)SD加工を行うには適切な焦点深さがあり,熱衝撃波が表面に達しない条件でレーザ照射を行う必要があること。

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *レーザ加工 ,  切削 ,  半導体チップ ,  *改質 ,  パルスレーザ照射 ,  焦点深度 ,  熱衝撃 ,  衝撃波 ,  アブレーション ,  解析モデル ,  数値解析 ,  吸収係数 ,  熱分析
準シソーラス用語： ダイシング ,  透過性 ,  熱解析

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (13件)：

• LIM, G. C. High Quality Laser Microcutting of Difficult-to-Cut Mate-rials-Copper and Si Wafer. Proceedings of the 21st International Congress on Applications of Lasers and Electro-Optics (ICALEO2002). 2002
• EBUTT, R. Method to Evaluate Damage Induced by Dicing and Laser Cut-ting of Si Wafers. Microstructural Science. 1996, 23, 89
• UEDA, T. Thermal Stress Cleaving of Brittle Materials by La-ser Beam. Annals of CIRP. 2002, 51, 1, 149
• 日本 特許第3408805号
• 米国 特許第6992026

タイトルに関連する用語 (4件)： 透過性 ,  パルスレーザ ,  シリコンウェハ ,  内部改質